Déposition de couche mince a-Si:H par procédé PECVD: Simulation par la méthode de Monte Carlo, Calcul analytique des probabilités de la réactivité PDF

Cela pourrait être fait par intercalation, ou en plaçant d’autres nanostructures métalliques et semi-conductrices entre les plans.


Cet ouvrage est une étude sur la déposition de couche mince a-Si:H élaborée à partir d’un mélange (SiH4 + H2) par les procédés CVD assistés par plasma. Pour la simulation numérique, nous avons utilisé la méthode de Monte Carlo. Le modèle cinétique collisionnel choisi a permis d’étudier les phénomènes physico-chimiques et les propriétés collisionnelles dans le volume du réacteur et à la surface du substrat. Pour calculer les probabilités de la réactivité des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau concept : la probabilité de réactivité sur un site (SRP). Cette nouvelle probabilité calculée, permet de calculer analytiquement les probabilités de collage, de recombinaison et de réactivité à la surface. A nos connaissances, c’est le premier modèle analytique qui calcul ces probabilités. Pour des températures du gaz variant de 373 K à 750 K, la valeur moyenne de la SFRP de SiH3 calculée est 0,30 ± 0,08. Cette valeur est la même que celle mesurée dans des travaux de Kessels et Hoefnagels. Nous avons présenté aussi un traitement de l’aspect fluide en résolvant l’équation de diffusion.

ERD permet des mesures quantitatives de profils de profondeur pour tous les éléments lumineux avec une résolution de profondeur supérieure à 1 nm (près de la surface) en utilisant des ions 58Ni ou 127I avec une énergie spécifique d’environ 1 MeV par noyau et un spectrographe magnétique haute résolution. Il peut être étendu à d’autres LM avec un faible couplage entre couches, voir section 4.12.2. Recknagel et J. Soares (Eds.), Applications de la physique nucléaire sur la science des matériaux, Vol. 144, p. 441-442, Springer Pays-Bas, 1988.-}